背景:
MXenes,二維金屬碳化物和氮化物,因其在各種儲(chǔ)能系統(tǒng)中的顯著性能而被認(rèn)為是一類新型電極材料。此外,獨(dú)特的性質(zhì)和形貌使得MXenes可以組裝成獨(dú)立的薄膜,可應(yīng)用于輕質(zhì)、高能量密度的儲(chǔ)能器件。然而,它們的重新堆疊和聚集傾向仍然是增強(qiáng)MXene電化學(xué)性能的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)研究中,我們提出了一種借助光子燒結(jié)制造多孔MXene-TiO2獨(dú)立式陽(yáng)極的簡(jiǎn)便方法。只需用光子燒結(jié)在幾毫秒內(nèi)加熱MXene薄膜即可增加MXene的層間距,同時(shí)在MXene表面形成TiO2。隨著中間層的加寬和TiO2的形成,潤(rùn)濕性得到改善,電解質(zhì)易于滲透,電極電阻降低。因此,這種獨(dú)立式陽(yáng)極在0.05A/g電流下的Li+存儲(chǔ)容量(148 mAh/g)比原始MXene薄膜(3mAh/g)高出近50倍,并且具有高達(dá)1500次循環(huán)的優(yōu)異循環(huán)穩(wěn)定性而不會(huì)降解。
文獻(xiàn)介紹:
鋰離子電池(LIB)的發(fā)明對(duì)儲(chǔ)能行業(yè)產(chǎn)生了令人難以置信的影響。這些電池廣泛用于多種應(yīng)用,包括便攜式電子產(chǎn)品例如智能手機(jī)和筆記本電腦、手持設(shè)備、電動(dòng)汽車以及更廣泛的能源存儲(chǔ)系統(tǒng)。然而,盡管它們用途廣泛,但在能量密度、安全性和充電速度方面仍有巨大的改進(jìn)潛力。此外,隨著能量存儲(chǔ)設(shè)備的使用多樣化,涵蓋可穿戴醫(yī)療設(shè)備、智能服裝和可彎曲顯示器等應(yīng)用,開發(fā)不僅靈活、重量輕,而且能保持高電化學(xué)性能的系統(tǒng)變得令人期望。
在這方面,MXenes、二維(2D)過渡金屬碳化物和氮化物已成為新型電極材料的重要候選者。MXenes主要通過選擇性刻蝕MAX相中的A層(多為Al、Si、Zn、Ga等)的方法制造,其中M代表過渡金屬(Ti、V、Mo、Nb等),X是碳和/或氮。合成的MXenes的化學(xué)式為Mn+1XnTx(n = 1、2或3),Tx表示表面末端(–OH、-O、-F等)。由于其結(jié)構(gòu)和表面功能端接,它們表現(xiàn)出獨(dú)特的性能組合,包括高電導(dǎo)率、熱穩(wěn)定性、卓越的機(jī)械性能和高比表面積。特別是,MXene基材料的獨(dú)特性能使其成為潛在的下一代電極材料;(1)MXene可以通過層間空間內(nèi)的快速鋰化/脫鋰過程來(lái)存儲(chǔ)離子。此外,源自過渡金屬的MXene的高電導(dǎo)率有助于實(shí)現(xiàn)高倍率性能,顯示出作為電極材料的廣闊潛力。因此,MXene有望通過增強(qiáng)電導(dǎo)率、減少極化和增強(qiáng)電池的整體循環(huán)穩(wěn)定性來(lái)提高電池的整體性能。事實(shí)上,MXene被用作各種儲(chǔ)能系統(tǒng)的電極,例如鋰離子電池、鈉離子電池和超級(jí)電容器。(2)連續(xù)蝕刻的MXenes膠體溶液含有分散的MXene薄片,可以很容易地組裝成獨(dú)立的薄膜。因此,借助MXenes,通過真空過濾、涂層和印刷等方法可以方便地制造獨(dú)立式電極。這些MXene薄膜具有高導(dǎo)電性和機(jī)械強(qiáng)度,非常適合用于輕型儲(chǔ)能設(shè)備,并且可以用作陽(yáng)極,無(wú)需金屬集流體或粘合劑。
到目前為止,人們已經(jīng)嘗試了各種方法在電極中使用MXene,并通過結(jié)構(gòu)控制、表面/界面改性和創(chuàng)建MXene基復(fù)合材料進(jìn)行了進(jìn)一步的修飾以增強(qiáng)MXene的電化學(xué)性能。然而,MXene在實(shí)際應(yīng)用中廣泛采用之前,必須克服一些挑戰(zhàn)。
與MXene相關(guān)的主要問題之一是它們傾向于重新堆疊和聚合。在這種情況下,堆疊的MXene嚴(yán)重阻礙電解質(zhì)的滲透并阻礙離子擴(kuò)散,導(dǎo)致離子存儲(chǔ)能力受到限制。避免這些問題的大部分努力涉及通過模板輔助方法、組裝方法和冷凍干燥方法等方法合成多孔3D結(jié)構(gòu)。Liu等人以硫?yàn)槟0搴铣闪?D多孔MXenes,隨后在氬氣氣氛下通過300℃熱處理將其去除。受益于其結(jié)構(gòu),保證了離子傳輸?shù)碾娊赓|(zhì)通道和更多的活性位點(diǎn)。Ma等人合成了MXene rGO雜化薄膜,通過將氧化石墨烯與MXene組裝來(lái)實(shí)現(xiàn)3D微孔結(jié)構(gòu)。Liu等人還利用Fe(OH)3納米粒子作為模板制備了納米多孔MXene薄膜。然而,這些方法通常被證明既耗時(shí)又復(fù)雜,并且可能需要額外的材料。
本研究提出了一種簡(jiǎn)便的制備多孔MXene-TiO2薄膜的方法,克服了先前研究的復(fù)雜性和耗時(shí)的過程,同時(shí)提高了電化學(xué)性能。我們的方法采用強(qiáng)脈沖光(IPL)過程,也稱為光子燒結(jié)過程,它利用來(lái)自氙燈的短脈沖白光,覆蓋整個(gè)可見光范圍,僅包含少量紫外線和近紅外光。傳統(tǒng)上,光子燒結(jié)工藝快速加熱目標(biāo)材料,同時(shí)最大限度地減少對(duì)基材的損壞,使其成為依賴熔爐的傳統(tǒng)燒結(jié)技術(shù)的理想替代方案。該過程可以在室溫和環(huán)境條件下在幾毫秒內(nèi)燒結(jié)金屬納米粒子。 因此,該技術(shù)具有雙重優(yōu)勢(shì);它促進(jìn)了MXene薄膜中多孔結(jié)構(gòu)的形成,同時(shí)通過在空氣環(huán)境中調(diào)節(jié)光子燒結(jié)功率,可以在其表面上控制TiO2的形成。
使用經(jīng)過光子燒結(jié)處理的獨(dú)立式MXene-TiO2薄膜作為陽(yáng)極具有多種優(yōu)勢(shì)。首先,在瞬間,當(dāng)MXene表面的一部分發(fā)生氧化并轉(zhuǎn)變?yōu)榛钚圆牧蠒r(shí),它允許TiO2大量分散,并使MXene-TiO2界面面積最大化?,F(xiàn)有通過混合MXene和鈦前驅(qū)體形成MXene-TiO2的方法工藝復(fù)雜,且通過熱處理的氧化方法難以控制氧化程度。然而,這種方法可以通過簡(jiǎn)單的過程輕松地將部分MXene氧化為納米級(jí)的TiO2。同時(shí),形成多孔結(jié)構(gòu)提高了電子轉(zhuǎn)移效率,增強(qiáng)了離子擴(kuò)散,并表現(xiàn)出高容量。此外,它是一種通用方法,也可以應(yīng)用于其他基于過渡金屬的MXene。通過首次使用MXene實(shí)現(xiàn)光子燒結(jié)工藝,我們的方法為復(fù)雜且耗時(shí)的技術(shù)提供了一種有前途的替代方案。它為制造用作LIB陽(yáng)極的高性能多孔MXene-TiO2薄膜提供了一種簡(jiǎn)單而有效的解決方案。結(jié)果,優(yōu)化后的光子燒結(jié)MXene薄膜的比容量比原始MXene薄膜高50倍,并且穩(wěn)定運(yùn)行1500次循環(huán)而沒有容量下降。
引用:https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1385894724010830
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